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WF128K16-50CI5

更新时间： 2024-01-29 04:09:39
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11页 189K
描述
5V FLASH MODULE

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WF128K16-50CI5 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CERAMIC, DIP-40
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
Is Samacsys：N最长访问时间：50 ns
JESD-30 代码：R-CDIP-T40内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH MODULE内存宽度：16
功能数量：1端子数量：40
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX16
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

WF128K16-50CI5 数据手册

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WF128K16, WF256K16-XCX5  
5V FLASH MODULE  
PRELIMINARY *  
FEATURES  
■ Access Times of 50, 60, 70, 90, 120 and 150ns  
■ 5 Volt Programming; 5V ±10% Supply  
■ 40 pin Ceramic DIP (Package 303)  
■ Low Power CMOS  
■ Organized as 128Kx16 and 256Kx16  
■ Embedded Erase and Program Algorithms  
■ TTL Compatible Inputs and CMOS Outputs  
■ Sector Architecture  
• 8 equal size sectors of 16KBytes each per chip  
• Any combination of sectors can be concurrently erased.  
Also supports full chip erase  
■ Built-in Decoupling Caps and Multiple Ground Pins for Low  
Noise Operation  
■ Page Program Operation and Internal Program Control Time  
*
This data sheet describes a product under development, not fully  
characterized, and is subject to change without notice.  
■ 100,000 Erase/Program Cycles Minimum (0°C to 70°C)  
■ Data Retention, 10 Years at 125°C  
Note: Programming information available upon request.  
■ Commercial, Industrial and Military Temperature Ranges  
FIG. 1 PIN CONFIGURATION AND BLOCK DIAGRAM  
TOP VIEW  
PIN DESCRIPTION  
V
CC  
CS2*/NC  
CS1  
1
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
WE  
A16  
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
2
A0-16  
I/O0-15  
CS1-2  
OE  
Address Inputs  
Data Input/Output  
Chip Selects  
Output Enable  
Write Enable  
+5.0V Power  
Ground  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
3
4
5
6
7
8
WE  
9
I/O8  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
VCC  
GND  
A8  
GND  
I/O7  
GND  
A7  
I/O6  
A6  
I/O5  
A5  
I/O4  
A4  
I/O3  
A3  
I/O2  
BLOCK DIAGRAM  
FOR WF256K16-XCX5  
A2  
I/O1  
A1  
I/O0  
A0  
OE  
I/O0-7  
I/O8-15  
* CS2 for 256Kx16 and NC for 128Kx16  
WE  
OE  
BLOCK DIAGRAM  
FOR WF128K16-XCX5  
A
0-16  
I/O0-7  
I/O8-15  
WE  
128K x 8  
128K x 8  
128K x 8  
128K x 8  
OE  
0-16  
A
CS1(1)  
CS2(1)  
128K x 8  
128K x 8  
NOTE:  
1. CS1 and CS2 are used to select the lower and upper 128Kx16 of the  
device. CS1 and CS2 must not be enabled at the same time.  
CS  
1
October 1998  
1
White Microelectronics • Phoenix, AZ • (602) 437-1520  
1234567...11

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