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W5282ZD300

更新时间： 2024-11-23 14:36:47

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力特 - LITTELFUSE		二极管
页数	文件大小	规格书
10页	494K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5282A, 3000V V(RRM), Silicon,

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W5282ZD300 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.35 V
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	67000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	160 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	5282 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	3000 V	最大反向电流：	100000 µA
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

W5282ZD300 数据手册

Date:- 12^thAugust, 2014

Data Sheet Issue:- 2

Rectifier Diode

Types W5282Z#240 to W5282Z#300

Previous Type No.: SW20-30#XC21C

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

2400-3000

2500-3100

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_F(AV)M

Maximum average forward current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=100°C, (note 2)

5282

3556

I_F(RMS)MNominal RMS forward current, T_sink=25°C, (note 2)

9830

I_F(d.c.)

I_FSM

I_FSM2

I²t

D.C. forward current, T_sink=25°C, (note 3)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 4)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm10V, (note 4)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 4)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm10V, (note 4)

Operating temperature range

8207

A²s

°C

18.0×10⁶

22.4×10⁶

-55 to +160

-55 to +190

I²t

T_{j op}

T_stg

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Double side cooled.

4) Half-sinewave, 160°C T_jinitial.

Data Sheet. Types W5282Z#240 to W5282Z#300 Issue 2

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August, 2014

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