Datasheet > 存储 > DRAM> W3EG6464S262AD4

W3EG6464S262AD4

更新时间： 2024-02-29 23:26:06

品牌	Logo	应用领域
WEDC		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
9页	100K
描述
512MB - 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED w/PLL

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

W3EG6464S262AD4 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	DIMM,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N200
内存密度：	4294967296 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	200
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

W3EG6464S262AD4 数据手册

W3EG6464S-AD4

-BD4

White Electronic Designs

PRELIMINARY*

512MB - 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED w/PLL

FEATURES

DESCRIPTION

The W3EG6464S is a 64Mx64 Double Data Rate

SDRAM memory module based on 512Mb DDR SDRAM

component. The module consists of eight 64Mx8 DDR

SDRAMs in 66 pin TSOP packages mounted on a 200

pin FR4 substrate.

ꢀ

Double-data-rate architecture

Speeds of 100MHz, 133MHz and 166MHz

Bi-directional data strobes (DQS)

Differential clock inputs (CK & CK#)

Programmable Read Latency 2,2.5 (clock)

Programmable Burst Length (2,4,8)

Programmable Burst type (sequential & interleave)

Edge aligned data output, center aligned data input

Auto and self refresh

Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock. Data I/O transactions are possible on

both edges and Burst Lengths allow the same device to be

useful for a variety of high bandwidth, high performance

memory system applications.

Serial presence detect

* This product is under development, is not qualiﬁed or characterized and is subject to

change without notice.

Power supply: V_CC: 2.5V 0.2V

JEDEC standard 200 pin SO-DIMM package

•

Package height options:

AD4: 35.5 mm (1.38"),

BD4: 31.75 (1.25")

OPERATING FREQUENCIES

DDR333@CL=2.5

DDR266@CL=2

133MHz

DDR266@CL=2.5

133MHz

DDR200@CL=2

100MHz

Clock Speed

CL-t_RCD-t_RP

166MHz

2.5-3-3

2-2-2

2.5-3-3

2-2-2

March 2004

Rev. 1

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与W3EG6464S262AD4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W3EG6464S262BD4	WEDC	获取价格	512MB - 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED w/PLL
W3EG6464S262BD4	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, SO-DIMM-200
W3EG6464S262D3	WEDC	获取价格	512MB - 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
W3EG6464S262D3G	WEDC	获取价格	暂无描述
W3EG6464S262JD3	WEDC	获取价格	512MB - 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
W3EG6464S262JD3G	WEDC	获取价格	暂无描述
W3EG6464S263D3	WEDC	获取价格	512MB - 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
W3EG6464S263JD3	WEDC	获取价格	512MB - 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
W3EG6464S265AD4	WEDC	获取价格	512MB - 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED w/PLL
W3EG6464S265AD4	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, SO-DIMM-200

与W3EG6464S262AD4相关文章

LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

2
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

3
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

5
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W3EG6464S262AD4

W3EG6464S262AD4 技术参数

W3EG6464S262AD4 数据手册

与W3EG6464S262AD4相关器件

与W3EG6464S262AD4相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W3EG6464S262AD4

W3EG6464S262AD4 技术参数

W3EG6464S262AD4 数据手册

与W3EG6464S262AD4相关器件

与W3EG6464S262AD4相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？