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W25Q32BVZPAP

更新时间: 2024-11-08 08:09:03
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华邦 - WINBOND 闪存
页数 文件大小 规格书
79页 978K
描述
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI

W25Q32BVZPAP 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SON包装说明:HVSON, SOLCC8,.25
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.72最大时钟频率 (fCLK):80 MHz
数据保留时间-最小值:20耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-N8长度:6 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:8字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:105 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32MX1封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:HVSON封装等效代码:SOLCC8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行:SERIAL电源:3/3.3 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.8 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.018 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:5 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

W25Q32BVZPAP 数据手册

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W25Q32BV  
3V 32M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL AND QUAD SPI  
Publication Release Date: April 01, 2011  
Revision F  
- 1 -  

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