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VUO86-08NO7

更新时间： 2024-04-02 21:14:44

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力特 - LITTELFUSE		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
5页	195K
描述
三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。

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VUO86-08NO7 数据手册

VUO86-08NO7

Rectifier

500

400

300

200

100

3000

1000

50 Hz

0.8 x V _RRM

V_R= 0 V

T_VJ= 45°C

I_F

I_FSM

[A]

I²t

T_VJ= 45°C

T_VJ= 150°C

[A]

[A²s]

T_VJ= 150°C

T_VJ= 125°C

150°C

T_VJ= 25°C

1.2

0.4

100

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

0.8

1.6

t [ms]

V_F[V]

t [s]

Fig. 2 Surge overload current

Fig. 3 I²t versus time per diode

Fig. 1 Forward current versus

voltage drop per diode

R_thJA

DC =

100

0.6 KW

0.8 KW

DC =

0.5

0.4

0.33

0.17

0.08

I_F(AV)M

0.33

0.17

0.08

P_tot

[W]

[A]

T_A[°C]

100

125

150

25 50 75 100 125 150

I_dAVM[A]

T_C[°C]

Fig. 4 Power dissipation vs. direct output current & ambient temperature

Fig. 5 Max. forward current vs.

case temperature

1.0

0.8

0.6

Constants for Z_thJCcalculation:

R_th(K/W)

t_i(s)

0.0607

0.1230

0.2330

0.3230

0.1628

0.000

Z_thJC

0.4

[K/W]

0.00256

0.0045

0.0242

0.18

0.2

0.0

100

1000

10000

t [ms]

Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20191220b

1 2 3 45

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