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VUO120-12NO2T

更新时间： 2024-02-13 13:39:14

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IXYS		局域网二极管
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5页	151K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 188A, 1200V V(RRM), Silicon,

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VUO120-12NO2T 技术参数

生命周期：	End Of Life	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.52
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN THERMISTOR	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.46 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X10	最大非重复峰值正向电流：	1100 A
元件数量：	6	相数：	3
端子数量：	10	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	188 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

VUO120-12NO2T 数据手册

VUO120-12NO2T

Outlines V2-Pack

Detail Y

M 5:1

Detail X

M 2:1

Ø1.5 (DIN 46 431)

Ø 6.1

Ø 2.5

ꢀ

0.5±0.2

Ø 2.1

40.4

78.5_±0.3

28.8_±0.3

16.4_±0.37.4 _±0.3

4_±0.3

28.8_±0.3

4x45°

3.4

±0.3

40_±0.15

80_±0.3

0.5

Aufdruck derTypenbezeichnung

M1/O1

W5 W6

NTC

~A6

~E6

~K6

M10/O10

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20130604b

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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VUO120-16NO2T	IXYS	Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 188A, 1600V V(RRM), Silicon,	获取价格
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