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VUO120-12NO2T

更新时间： 2024-02-18 03:39:03

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IXYS		局域网二极管
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5页	151K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 188A, 1200V V(RRM), Silicon,

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VUO120-12NO2T 技术参数

生命周期：	End Of Life	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.52
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN THERMISTOR	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.46 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X10	最大非重复峰值正向电流：	1100 A
元件数量：	6	相数：	3
端子数量：	10	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	188 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

VUO120-12NO2T 数据手册

VUO120-12NO2T

Ratings

Package V2-Pack

Symbol

I_RMS

Definition

Conditions

per terminal

min. typ. max.

100

Unit

°C

RMS current

T_stg

-40

125

150

storage temperature

virtual junction temperature

T_VJ

Weight

M_D

2.5 Nm

mounting torque

terminal to terminal

terminal to backside

d_Spp/App

d_Spb/Apb

6.0

12.0

creepage distance on surface | striking distance through air

t = 1 second

3600

3000

isolation voltage

ISOL

50/60 Hz, RMS; I^ISOL≤ 1 mA

t = 1 minute

XXXXXXXXXXXXX

yywwx

Logo

Part name

Date code Prod. line

Ordering

Standard

Part Number

Marking on Product

Delivery Mode

Box

Quantity Code No.

VUO120-12NO2T

510989

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Package

Voltage class

1600

VUO120-16NO2T

V2-Pack

10⁵

10⁴

Temperature Sensor NTC

Symbol Definition

Conditions

T_VJ= 25°

min. typ. max. Unit

resistance

R₂₅

4.75

5.25

kΩ

temperature coefficient

3375

B_25/50

[

]

10³

T_VJ= 150°C

* on die level

Equivalent Circuits for Simulation

Rectifier

V₀

10²

R₀

100 125 150

T_C[°C]

threshold voltage

slope resistance *

V_{0 max}

R_{0 max}

0.81

3.2

Typ. NTC resistance vs. temperature

mΩ

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20130604b

1 234 5

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