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VSB1545-M3/54

更新时间： 2024-09-25 20:50:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 82K
描述
DIODE 6 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Rectifier Diode

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VSB1545-M3/54 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：8.43其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.54 V
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VSB1545-M3/54 数据手册

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VSB1545-M3  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Photovoltaic Solar Cell Protection Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5.0 A  
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• High forward surge capability  
• ESD capability  
P600  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• TJ 200 °C max. in solar bypass mode application  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
For use in solar cell junction box as a bypass diode for  
protection, using DC forward current without reverse bias.  
IF(AV)  
15 A  
45 V  
VRRM  
IFSM  
200 A  
MECHANICAL DATA  
Case: P600ꢀ  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
VF at IF = 15 A  
OP max. (AC mode)  
0.44 V  
150 °C  
200 °C  
P600  
T
TJ max. (DC forward current)  
Package  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
commercial grade  
Diode variation  
Single die  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102ꢀ  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VSB1545  
V1545  
45  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
V
A
(1)  
IF(AV)  
15  
6
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
(2)  
IF(AV)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
200  
A
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TOP  
-40 to +150  
-40 to +175  
°C  
°C  
TSTG  
Junction temperature in DC forward current withoutꢀ  
reverse bias, t d 1 hp  
(3)  
TJ  
d 200  
°C  
Notes  
(1)  
(2)  
(3)  
With heatsink  
Without heatsink, free air  
Meets the requirements of IEC 61215 ed. 2 bypass diode thermal test  
Revision: 22-Nov-13  
Document Number: 89390  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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VSB1545-M3/54 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VSB1545-M3/73 VISHAY

完全替代

 DIODE 6 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE

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