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VS-VSKCS403/100

更新时间： 2024-02-15 11:11:00

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威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
7页	183K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-240AA COMPATIBLE, 3 PIN

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VS-VSKCS403/100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PUFM-X3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, UL APPROVED	应用：	POWER
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：	20000 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向电流：	6000 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

VS-VSKCS403/100 数据手册

VS-VSKCS403/100

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

300

250

200

150

100

180

160

140

120

100

RMS limit

D = 0.20

D = 0.25

D = 0.33

D = 0.50

D = 0.75

Square wave (D = 0.50)

80 % rated V_Rapplied

see note (1)

100

150

200

250

300

100

200

300

400

500

I_F(AV)- Average Forward Current (A)

Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics

I_F(AV)- Average Forward Current (A)

Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs.

Average Forward Current

100 000

At any rated load condition

and with rated V_RRMapplied

following surge

10 000

1000

100

1000

10 000

t_p- Square Wave Pulse Duration (μs)

Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current

High-speed

switch

IRFP460

D.U.T.

Freewheel

diode

R_g= 25 Ω

V_d= 25 V

Current

monitor

40HFL40S02

Fig. 8 - Unclamped Inductive Test Circuit

Note

(1)

Formula used: T_C= T_J- (Pd + Pd_REV) x R_thJC;

Pd = forward power loss = I_F(AV)x V_FMat (I_F(AV)/D) (see fig. 6);

Pd_REV= inverse power loss = V_R1x I_R(1 - D); I_Rat V_R1= 80 % rated V_R

Revision: 03-May-17

Document Number: 94636

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

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