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VS-VSKCS403/100

更新时间： 2024-01-01 09:42:12
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 183K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-240AA COMPATIBLE, 3 PIN

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VS-VSKCS403/100 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PUFM-X3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.46
其他特性：FREE WHEELING DIODE, UL APPROVED应用：POWER
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJESD-30 代码：R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：20000 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：6000 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-VSKCS403/100 数据手册

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VS-VSKCS403/100  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
400  
UNITS  
per module  
per leg  
Maximum average  
forward current  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 104 °C, rectangular waveform  
200  
A
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
23 000  
Following any rated  
load conditionand with  
rated VRRM applied  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
2600  
15  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 5.5 A, L = 1 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
0.99  
1.3  
UNITS  
200 A  
TJ = 25 °C  
400 A  
Maximum forward voltage drop  
VFM  
V
200 A  
0.83  
1.09  
6
TJ = 125 °C  
400 A  
TJ = 25 °C  
Maximum reverse leakage current  
IRM  
V
R = Rated VR  
mA  
TJ = 125 °C  
120  
Maximum junction capacitance  
Typical series inductance  
CT  
LS  
VR = 5 VDC (test signal range 100 kHz to 1 MHz), 25 °C  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
Rated VR  
5500  
5.0  
pF  
nH  
Maximum voltage rate of change  
dV/dt  
10 000  
V/µs  
3000 (1 min)  
3600 (1 s)  
Maximum RMS insulation voltage  
VINS  
50 Hz  
V
THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum junction and storage   
temperature range  
TJ, TStg  
-55 to +175  
°C  
Maximum thermal resistance,   
junction to case per leg  
RthJC  
RthCS  
DC operation  
0.32  
0.1  
°C/W  
Typical thermal resistance,   
case to heatsink per module  
75  
g
Approximate weight  
2.7  
oz.  
A mounting compound is recommended and the torque  
should be rechecked after a period of 3 h to allow for the  
spread of the compound.  
to heatsink  
busbar  
4
3
Mounting torque 10 ꢀ  
Case style  
Nm  
JEDEC®  
TO-240AA compatible  
Revision: 03-May-17  
Document Number: 94636  
2
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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