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VS-90SQ030TR-M3

更新时间： 2024-02-19 14:33:25

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威世 - VISHAY		二极管
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7页	131K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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VS-90SQ030TR-M3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.57 V
JEDEC-95代码：	DO-204AR	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	2150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	9 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向电流：	1750 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

VS-90SQ030TR-M3 数据手册

VS-90SQ... Series, VS-90SQ...-M3 Series

www.vishay.com

Vishay Semiconductors

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

0.48

UNITS

9 A

T_J= 25 °C

18 A

0.57

Maximum forward voltage drop

See fig. 1

(1)

V_FM

9 A

0.42

T_J= 125 °C

18 A

0.52

T_J= 25 °C

T_J= 125 °C

1.75

Maximum reverse leakage current

See fig. 2

(1)

I_RM

_R= Rated V_R

Maximum junction capacitance

Typical series inductance

C_T

L_S

V_R= 5 V_DC, (test signal range 100 kHz to 1 MHz) 25 °C

Measured lead to lead 5 mm from body

Rated V_R

900

10.0

Maximum voltage rate of change

dV/dt

10 000

V/µs

Note

(1)

Pulse width < 300 μs, duty cycle < 2 %

THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum junction and storage

temperature range

T_J, T_Stg

- 55 to 150

°C

Maximum thermal resistance,

junction to lead

DC operation; see fig. 4

1/8" lead length

R_thJL

R_thJA

8.0

°C/W

Typical thermal resistance,

junction to air

1.4

Approximate weight

0.049

oz.

90SQ030

90SQ035

90SQ040

90SQ045

Marking device

Case style DO-204AR (JEDEC)

Revision: 19-Sep-11

Document Number: 93417

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

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