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VS-25ETS12SPBF

更新时间： 2024-02-29 03:56:20

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		高压大电源高功率电源二极管
页数	文件大小	规格书
7页	158K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 1200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMD-220, D2PAK-3

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VS-25ETS12SPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-263
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMD-220, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.39
Is Samacsys：	N	应用：	HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.14 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

VS-25ETS12SPBF 数据手册

VS-25ETS..SPbF Series

www.vishay.com

Vishay Semiconductors

High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 25 A

FEATURES

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

Base

cathode

• Glass passivated pellet chip junction

• Designed and qualified according to

JEDEC^®-JESD 47

• Material categorization:

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

TO-263AB (D²PAK)

Anode

APPLICATIONS

• Input rectification

PRODUCT SUMMARY

Package

TO-263AB (D²PAK)

25 A

• Vishay switches and output rectifiers which are available

in identical package outlines

I_F(AV)

V_R

800 V, 1000 V, 1200 V

1.14 V

DESCRIPTION

V_Fat I_F

I_FSM

The VS-25ETS..SPbF rectifier High Voltage Series has been

optimized for very low forward voltage drop, with moderate

leakage. The glass passivation technology used has reliable

operation up to 150 °C junction temperature.

300 A

T_jmax.

Diode variation

150 °C

Single die

OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS

APPLICATIONS

SINGLE-PHASE BRIDGE

THREE-PHASE BRIDGE

UNITS

Capacitive input filter T_A= 55 °C, T_J= 125 °C 

common heatsink of 1 °C/W

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

SYMBOL

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

CHARACTERISTICS

VALUES

UNITS

Sinusoidal waveform

800 to 1200

300

V_F

10 A, T_J= 25 °C

1.0

T_J

-40 to +150

°C

VOLTAGE RATINGS

V_RRM, MAXIMUM PEAK

REVERSE VOLTAGE

V_RSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE

_RRMAT 150 °C

PART NUMBER

PEAK REVERSE VOLTAGE

VS-25ETS08SPbF

VS-25ETS10SPbF

VS-25ETS12SPbF

800

1000

1200

900

1100

1300

Revision: 12-Feb-16

Document Number: 94342

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6 7

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与VS-25ETS12SPBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
VS-25ETS12STRLPBF	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 1200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COM	获取价格
VS-25ETS12STRRPBF	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 1200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COM	获取价格
VS-25ETS12TRRPBF	VISHAY	RECTIFIER DIODE	获取价格
VS-25F	VISHAY	Standard Recovery Diodes	获取价格
VS-25F10	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN	获取价格
VS-25F100	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN	获取价格

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