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VS-175BGQ030

更新时间： 2024-02-06 15:10:42
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 130K
描述
DIODE 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, POWERTAB-1, Rectifier Diode

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VS-175BGQ030 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-X1
针数：1Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.39 VJESD-30 代码：R-PSFM-X1
最大非重复峰值正向电流：7400 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：175 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-175BGQ030 数据手册

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VS-175BGQ030  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Schottky Rectifier, 175 A  
FEATURES  
• 150 °C max. operating junction temperature  
• High frequency operation  
• Ultralow forward voltage drop  
• Continuous high current operation  
Cathode  
Anode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
PowerTab®  
• Screw mounting only  
• Designed and qualified according to JEDEC-JESD47  
• PowerTab® package  
PRODUCT SUMMARY  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
Package  
PowerTab®  
DESCRIPTION  
IF(AV)  
175 A  
30 V  
The VS-175BGQ030 Schottky rectifier has been optimized  
for ultralow forward voltage drop specifically for low voltage  
output in high current AC/DC power supplies.  
The proprietary barrier technology allows for reliable  
operation up to 150 °C junction temperature. Typical  
applications are in switching power supplies, converters,  
reverse battery protection, and redundant power  
subsystems.  
VR  
VF at IF  
IRM  
0.52 V  
650 mA at 125 °C  
125 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Single die  
80 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
Rectangular waveform  
TC  
VALUES  
175  
UNITS  
A
°C  
V
IF(AV)  
112  
VRRM  
IFSM  
30  
tp = 5 μs sine  
175 Apk (typical)  
TJ  
7400  
A
0.47  
V
VF  
TJ  
150  
°C  
°C  
Range  
- 55 to 150  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-175BGQ030  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
VR  
30  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 112 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
175  
A
Following any rated load  
condition and with rated  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
7400  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
A
1400  
80  
VRRM applied  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 12 A, L = 1.12 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
12  
Revision: 04-Jul-11  
Document Number: 94583  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-175BGQ030HF4 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, POWERT
VS-175BGQ030HN4 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 175 A
VS-175BGQ030-N4 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 175 A
VS-175BGQ045 VISHAY

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 		DIODE 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, POWERTAB-1, Rectifier Diode
VS-175BGQ045HF4 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 175 A
VS-175BGQ045HN4 VISHAY

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