是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.8 |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2 A | 最大漏极电流 (ID): | 2 A |
最大漏源导通电阻: | 4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 20 pF | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 27 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VP0216N2 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs | |
VP0216N3 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs | |
VP0216N5 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs | |
VP0220N2 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs | |
VP0220N3 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs | |
VP0220N5 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs | |
VP02652700J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block, | |
VP02654700J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block | |
VP02655400J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block, | |
VP02655500J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |