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VN0808L-TR1

更新时间： 2024-02-18 23:53:00
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 61K
描述
TRANSISTOR 300 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA, TO-92, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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VN0808L-TR1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.63
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (ID)：0.3 A
最大漏源导通电阻：4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：10 pFJEDEC-95代码：TO-226AA
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

VN0808L-TR1 数据手册

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VN0808L/LS, VQ1006P  
Vishay Siliconix  
N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs  
PRODUCT SUMMARY  
Part Number  
V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W)  
VGS(th) (V)  
ID (A)  
VN0808L  
VN0808LS  
VQ1006P  
4 @ V = 10 V  
GS  
0.8 to 2  
0.8 to 2  
0.3  
0.33  
0.4  
80  
90  
4 @ V = 10 V  
GS  
4 @ V = 10 V  
GS  
0.8 to 2.5  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D Low On-Resistance: 3.6 W  
D Low Threshold: 1.6 V  
D Low Offset Voltage  
D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS  
D Low-Voltage Operation  
D Easily Driven Without Buffer  
D High-Speed Circuits  
D Low Error Voltage  
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,  
Displays, Memories, Transistors, etc.  
D Low Input Capacitance: 35 pF  
D Fast Switching Speed: 6 ns  
D Low Input and Output Leakage  
D Battery Operated Systems  
D Solid-State Relays  
Dual-In-Line  
TO-226AA  
(TO-92)  
TO-92S  
D
S
D
S
1
4
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
1
2
3
S
G
D
1
2
3
S
G
D
N
N
1
4
G
1
G
4
NC  
NC  
G
2
S
2
D
2
G
3
3
S
N
N
Top View  
Top View  
VN0808L  
VN0808LS  
D
3
8
Front View:  
VN0808LS  
Front View:  
VN0808L  
Top View  
“S” VN  
0808LS  
xxyy  
Sidebraze: VQ1006P  
“S” VN  
0808L  
xxyy  
Top View:  
VQ1006P  
“S” = Siliconix Logo  
f = Factory Code  
ll = Lot Traceability  
xxyy = Date Code  
VQ1006P  
“S”f//xxyy  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
VQ1006P  
Single  
Total Quad  
Parameter  
Symbol  
VN0808L  
80  
VN0808LS  
Unit  
Drain-Source Voltage  
V
80  
"30  
0.33  
0.21  
1.9  
90  
"20  
0.4  
0.23  
2
DS  
GS  
V
Gate-Source Voltage  
V
"30  
0.3  
T = 25_C  
A
Continuous Drain Current  
I
D
(T = 150_C)  
0.19  
1.9  
J
T = 100_C  
A
A
a
Pulsed Drain Current  
I
DM  
T = 25_C  
0.8  
0.9  
1.3  
0.52  
96  
2
A
Power Dissipation  
P
W
D
T = 100_C  
A
0.32  
156  
0.4  
0.8  
62.5  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
thJA  
139  
_C/W  
_C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 70214  
S-04279—Rev.D, 16-Jul-01  
www.vishay.com  
11-1  
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
VN0808M ETC TRANSISTOR MOSFET TO 92 E LINE TO 237

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