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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.76 | 主体/外壳类型： | PLUG |
| 连接器类型： | RF F CONNECTOR | 触点电阻： | 3 m Ω |
| 触点样式： | COAX | 耐用性： | 50 Cycles |
| 插入损耗： | 0.2 dB | 绝缘电阻： | 5000000000 Ω |
| 安装选项1： | LOCKING | 安装方式： | STRAIGHT |
| 安装类型： | CABLE | 端口数量： | 1 |
| 最大工作频率： | 2 GHz | 最高工作温度： | 165 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 可靠性： | COMMERCIAL |
| 外壳面层： | NICKEL | 外壳材料： | BRASS |
| 子类别： | Other RF Connectors | 端接类型： | CRIMP |
| 触点总数： | 1 | 电压驻波比： | 1.35 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VF10-12X | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS |
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| VF10-15 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS |
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| VF10150C | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A |
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| VF10150C_10 | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| VF10150C_15 | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| VF10150C-E3/4W | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A |
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| VF10150C-E3-4W | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| VF10150C-M3-4W | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| VF10150S | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A |
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| VF10150S_10 | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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