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VF10150S-M3/4W

更新时间： 2024-10-03 21:15:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
4页	85K
描述
DIODE 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN, Rectifier Diode

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VF10150S-M3/4W 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.43
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.75 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	120 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	150 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VF10150S-M3/4W 数据手册

VF10150S

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.59 V at I_F= 5 A

FEATURES

TMBS^®

ITO-220AB

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s,

per JESD 22-B106

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

VF10150S

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching

PIN 1

PIN 2

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

PIN 3

reverse battery protection.

MECHANICAL DATA

Case: ITO-220AB

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

10 A

150 V

V_RRM

Base P/N-M3

- halogen-free, RoHS-compliant, and

commercial grade

I_FSM

120 A

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

V_Fat I_F= 10 A

T_Jmax.

0.69 V

150 °C

Package

Diode variation

ITO-220AB

Single die

Polarity: As marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VF10150S

150

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

120

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

V_AC

10 000

1500

V/μs

Isolation voltage from termal to heatsink t = 1 min

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-55 to +150

°C

Revision: 28-Oct-13

Document Number: 89267

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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VF10150S-M3/4W 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VF10150S-E3/4W	VISHAY	完全替代	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

与VF10150S-M3/4W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VF10150S-M3-4W	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VF10-15X	NJSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS
VF-101635-2.5-X	TE	获取价格	Label format - Old format order code cross reference
VF10-20	NJSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS
VF10-20X	NJSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS
VF10-25	NJSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS
VF10-25X	NJSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS
VF10-30	ETC	获取价格	High voltage diffused silicon power rectifiers
VF10-30X	ETC	获取价格	High voltage diffused silicon power rectifiers
VF10313000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block

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