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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 240 V | 最大漏源导通电阻： | 6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-XUUC-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VDDV2CHP | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| VDDV2CHP-1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| VDDV2CHP-2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| VDE-025P-10 | WABASH |
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International Power Transformer |
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| VDE-025P-126 | WABASH |
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International Power Transformer |
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| VDE-025P-16 | WABASH |
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International Power Transformer |
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| VDE-025P-18 | WABASH |
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International Power Transformer |
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| VDE-025P-20 | WABASH |
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International Power Transformer |
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| VDE-025P-24 | WABASH |
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International Power Transformer |
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| VDE-025P-28 | WABASH |
获取价格 |
International Power Transformer |
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