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VBT5202-M3/4W

更新时间: 2024-02-18 23:22:09
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
6页 156K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB,

VBT5202-M3/4W 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSSO-G2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
Factory Lead Time:22 weeks风险等级:5.74
其他特性:FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用:EFFICIENCY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.88 VJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向电流:150 µA
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

VBT5202-M3/4W 数据手册

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VT5202-M3, VFT5202-M3, VBT5202-M3, VIT5202-M3  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
TO-262AA  
0.411 (10.45)  
0.380 (9.65)  
0.185 (4.70)  
0.175 (4.44)  
0.055 (1.40)  
0.047 (1.19)  
0.055 (1.40)  
0.045 (1.14)  
0.401 (10.19)  
0.381 (9.68)  
0.350 (8.89)  
0.330 (8.38)  
0.950 (24.13)  
0.920 (23.37)  
PIN  
2
0.510 (12.95)  
0.470 (11.94)  
1
3
0.160 (4.06)  
0.140 (3.56)  
0.110 (2.79)  
0.100 (2.54)  
0.057 (1.45)  
0.045 (1.14)  
0.560 (14.22)  
0.530 (13.46)  
0.035 (0.90)  
0.028 (0.70)  
0.104 (2.65)  
0.096 (2.45)  
0.022 (0.56)  
0.014 (0.35)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
TO-263AB  
Mounting Pad Layout  
0.411 (10.45)  
0.380 (9.65)  
0.245 (6.22)  
MIN.  
0.190 (4.83)  
0.160 (4.06)  
0.42 (10.66) MIN.  
0.055 (1.40)  
0.045 (1.14)  
K
0.33 (8.38) MIN.  
0.055 (1.40)  
0.047 (1.19)  
0.360 (9.14)  
0.320 (8.13)  
0.624 (15.85)  
0.670 (17.02)  
NC  
K
A
0.591 (15.00)  
0.591 (15.00)  
0 to 0.01 (0 to 0.254)  
0.110 (2.79)  
0.15 (3.81) MIN.  
0.090 (2.29)  
0.021 (0.53)  
0.037 (0.940)  
0.027 (0.686)  
0.08 (2.032) MIN.  
0.014 (0.36)  
0.105 (2.67)  
0.095 (2.41)  
0.140 (3.56)  
0.110 (2.79)  
0.105 (2.67)  
0.095 (2.41)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
Revision: 12-Dec-16  
Document Number: 87700  
5
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