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VBT5202-M3/4W PDF预览

VBT5202-M3/4W

更新时间： 2024-02-08 03:39:00
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
6页 156K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB,

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VBT5202-M3/4W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：22 weeks风险等级：5.74
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.88 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：150 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VBT5202-M3/4W 数据手册

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VT5202-M3, VFT5202-M3, VBT5202-M3, VIT5202-M3  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A  
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology Gen 2  
TO-220AC  
ITO-220AC  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per  
JESD 22-B106 (for TO-220AC, ITO-220AC, and  
TO-262AA package)  
2
2
1
1
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VT5202  
VFT5202  
PIN 1  
PIN 1  
CASE  
PIN 2  
PIN 2  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency DC/DC converters, switching  
power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and  
reverse battery protection.  
TO-263AB  
TO-262AA  
K
K
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB, and TO-262AA  
A
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
A
NC  
VBT5202  
K
NC  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
commercial grade  
VIT5202  
NC  
A
K
K
NC  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
HEATSINK  
HEATSINK  
A
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Polarity: As marked  
IF(AV)  
5.0 A  
200 V  
100 A  
0.65 V  
175 °C  
Mounting Torque: 10 in-lbs max.  
VRRM  
IFSM  
VF at IF = 5.0 A (TJ = 125 °C)  
TJ max.  
TO-220AC, ITO-220AC,  
TO-263AB, TO-262AA  
Package  
Diode variation  
Single die  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VT5202  
VFT5202  
VBT5202  
VIT5202  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
Maximum DC reverse voltage  
VRRM  
200  
5.0  
V
A
V
IF(AV)  
VDC  
160  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
100  
A
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
VAC  
10 000  
1500  
V/μs  
V
Isolation voltage (ITO-220AC only)  
from terminal to heatsink, t = 1 min  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-40 to +175  
°C  
Revision: 12-Dec-16  
Document Number: 87700  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

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