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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VBGA195T080 | ROHM |
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LSI Assembly |
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| VBGA255T090 | ROHM |
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LSI Assembly |
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| VBGA323T100 | ROHM |
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LSI Assembly |
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| VBH40-05A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.116ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| VBH40-05A | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.116ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| VBH40-05B | IXYS |
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Module with HiPerFETTM H-Bridge and Single Phase Mains Rectifier Bridge |
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| VBIC | ETC |
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Microcontroller |
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| VBJ1006 | NXP |
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RF/Microwave Isolator/Circulator, 925 MHz - 960 MHz RF/MICROWAVE 3 PORT CIRCULATOR |
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| VBLD861-080.0M | CONNOR-WINFIELD |
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LVCMOS Output Clock Oscillator, |
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| VBLD861-081.92M | CONNOR-WINFIELD |
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LVCMOS Output Clock Oscillator, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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