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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VB10150C-E3/4W
VB10150C-E3/4W PDF预览

VB10150C-E3/4W

更新时间： 2024-01-26 14:45:29
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线高压功效
页数 文件大小 规格书
5页 168K
描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A

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VB10150C-E3/4W 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：D2PAK包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.57Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：150 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

VB10150C-E3/4W 数据手册

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New Product  
V10150C, VF10150C, VB10150C & VI10150C  
Vishay General Semiconductor  
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.63 V at I = 3 A  
F
F
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF  
maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
3
3
2
2
1
1
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB  
and TO-262AA package)  
V10150C  
VF10150C  
TO-262AA  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
PIN 2  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
CASE  
TO-263AB  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
K
For use in high frequency inverters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
2
1
3
2
1
MECHANICAL DATA  
VB10150C  
VI10150C  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 2  
K
PIN 2  
K
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and  
TO-262AA  
HEATSINK  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
IF(AV)  
2 x 5 A  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
VRRM  
150 V  
60 A  
IFSM  
Polarity: As marked  
VF at IF = 5 A  
TJ max.  
0.69 V  
150 °C  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL V10150C  
VF10150C VB10150C VI10150C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
150  
V
per device  
per diode  
10  
5
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
IF(AV)  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
60  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Document Number: 89068  
Revision: 19-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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