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V912E

更新时间: 2024-01-12 18:01:24
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KNOX 二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
1页 38K
描述
ULTRA-LOW LEAKAGE ABRUPT VARACTOR DIODES

V912E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:DIE包装说明:O-LALF-W2
针数:1Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.06其他特性:ULTRA-LOW LEAKAGE
最小击穿电压:110 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管电容容差:1%
标称二极管电容:12 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.005 µA
反向测试电压:100 V表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

V912E 数据手册

  
ULTRA-LOW LEAKAGE ABRUPT VARACTOR DIODES  
V907 - V900  
V907E - V900E  
PART  
NUMBER  
CAPACITANCE  
@ 4 Vdc  
1 MHz (pF)  
TYP. CAPACITANCE  
RATIO  
C•0.5V / C•MWV  
MAX WORKING  
VOLTAGE  
(Vdc)  
MIN BREAKDOWN  
VOLTAGE  
Ir = 100µA (Vdc)  
V907  
V910  
7
10  
4.1  
4.1  
25  
25  
28  
28  
V912  
V915  
12  
15  
4.2  
4.2  
25  
25  
28  
28  
V920  
V927  
20  
27  
3.9  
4.0  
20  
20  
22  
22  
V933  
V939  
33  
39  
4.1  
4.1  
20  
20  
22  
22  
V947  
V956  
47  
56  
3.9  
3.5  
20  
15  
22  
17  
V968  
V982  
68  
82  
3.5  
3.5  
15  
15  
17  
17  
V900  
V907E  
100  
7
3.5  
6.9  
15  
100  
17  
110  
V910E  
V912E  
10  
12  
6.9  
7.5  
100  
100  
110  
110  
V915E  
V920E  
15  
20  
7.5  
7.9  
100  
90  
110  
99  
V927E  
V933E  
27  
33  
7.4  
6.5  
65  
60  
72  
66  
V939E  
V947E  
39  
47  
6.3  
6.1  
55  
50  
61  
55  
V956E  
V968E  
56  
68  
5.7  
4.6  
40  
30  
44  
33  
V982E  
V900E  
82  
100  
4.0  
4.0  
20  
20  
22  
22  
Package Style  
DO-7  
Forward Voltage Drop  
DC Power Dissipation  
Max Reverse Current  
@ 100 mA  
@ Ta = 25° C  
@ MWV  
1.0 Vdc  
400 mW  
5 nA  
Operating Temperature (Topr)  
Storage Temperature (Tstg)  
Capacitance Tolerance:  
-65 to + 150° C  
-65 to + 200° C  
±20%  
Standard Device  
P.O. BOX 609 · ROCKPORT, MAINE 04856 · 207-236-6076 · FAX 207-236-9558  

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