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V80100PW-M3/4W

更新时间： 2024-09-23 21:12:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 77K
描述
DIODE 40 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3PW, 3 PIN, Rectifier Diode

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V80100PW-M3/4W 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PW
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：8.43
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.76 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：450 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：40 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

V80100PW-M3/4W 数据手册

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New Product  
V80100PW  
Vishay General Semiconductor  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 10 A  
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
TO-3PW  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-3PW  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
2 x 40 A  
100 V  
Base P/N-M3  
- halogen-free and RoHS compliant,  
commercial grade  
450 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
E
AS at L = 180 mH  
VF at IF = 40 A  
TJ max.  
700 mJ  
0.64 V  
150 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V80100PW  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
100  
80  
V
per device  
per diode  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
IF(AV)  
A
40  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
EAS  
450  
700  
1.0  
A
mJ  
A
Non-repetitive avalanche energy at TJ = 25 °C, L = 180 mH per diode  
Peak repetitive reverse current at tp = 2 μs, 1 kHz,  
TJ = 38 °C 2 °C per diode  
IRRM  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 40 to + 150  
Document Number: 89183  
Revision: 09-Feb-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V80100PW-M3-4W VISHAY

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