V60100P-E3/45

更新时间： 2024-02-29 04:02:48

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威世 - VISHAY		整流二极管高压
页数	文件大小	规格书
5页	107K
描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A

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V60100P-E3/45 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.7 V	最大非重复峰值正向电流：	350 A
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	30 A
最大重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
Base Number Matches：	1

V60100P-E3/45 数据手册

New Product

V60100P

Vishay General Semiconductor

400

300

200

100

10 000

T_J= T_JMax.

8.3 ms Single Half Sine-Wave

T_J= 25 °C

f = 1.0 MHz

V_sig= 50 mVp-p

1000

100

0.1

100

Number of Cycles at 60 Hz

Reverse Voltage (V)

Figure 3. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge

Current Per Diode

Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode

100

T_J= 150 °C

Junction to Case

T_J= 125 °C

T_J= 25 °C

0.1

0.01

0.1

100

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

Instantaneous Forward Voltage (V)

t - Pulse Duration (s)

Figure 4. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode

Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode

1000

100

T_J= 150 °C

T_J= 125 °C

0.1

_J= 25 °C

0.01

0.001

90 100

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

Figure 5. Typical Reverse Characteristics Per Diode

Document Number: 88978

Revision: 26-May-08

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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

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