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V23990-K438-F40-PM

更新时间： 2023-09-03 20:33:53

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描述
Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current

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V23990-K438-F40-PM

datasheet

Characteristic Values

Symbol

Parameter

Conditions

Values

Typ

Unit

V_CE[V] I_C[A]

V_DS[V] I_D[A] T_j[°C]

V_GE[V]

V_GS[V]

Min

Max

V_F[V]

I_F[A]

Inverter Switch

Static

V_GE(th)

V_CEsat

I_CES

I_GES

r_g

Gate-emitter threshold voltage

Collector-emitter saturation voltage

Collector-emitter cut-off current

Gate-emitter leakage current

Internal gate resistance

Input capacitance

V_CE= V_GE

0,0026

5,3

5,8

6,3

1,58

1,87

2,29

2,07⁽¹⁾

150

1200

µA

120

4300

160

570

C_ies

C_res

Q_g

f = 1 Mhz

Reverse transfer capacitance

Gate charge

Thermal

(2)

R_th(j-s)

λ_paste= 1 W/mK (P12)

Thermal resistance junction to sink

Dynamic

0,58

K/W

168,4

187

t_d(on)

Turn-on delay time

Rise time

150

41,6

t_r

150

45,8

R_gon= 4 Ω

R_goff= 4 Ω

275,6

364,6

64,18

100,72

7,56

t_d(off)

Turn-off delay time

Fall time

150

±15

600

t_f

150

Q_rFWD=5,28 µC

Q_rFWD=14 µC

E_on

E_off

Turn-on energy (per pulse)

Turn-off energy (per pulse)

mWs

150

11,56

4,07

150

7,43

30 Sep. 2021 / Revision 3

1 234 5 6 7...18

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