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V20150S-E3/4W PDF预览

V20150S-E3/4W

更新时间： 2024-09-25 11:57:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压
页数 文件大小 规格书
5页 163K
描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V20150S-E3/4W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.39
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.82 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：160 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：150 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

V20150S-E3/4W 数据手册

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New Product  
V20150S, VF20150S, VB20150S & VI20150S  
Vishay General Semiconductor  
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.55 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF  
maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
3
3
2
2
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,  
per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB,  
and TO-262AA package)  
1
1
V20150S  
VF20150S  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
PIN 2  
CASE  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
TO-263AB  
TO-262AA  
K
K
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
A
NC  
3
2
1
MECHANICAL DATA  
VB20150S  
VI20150S  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and  
TO-262AA  
PIN 1  
PIN 3  
NC  
A
K
PIN 2  
K
HEATSINK  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
IF(AV)  
20 A  
150 V  
160 A  
0.75 V  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VRRM  
IFSM  
Polarity: As marked  
VF at IF = 20 A  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
TJ max.  
150 °C  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
V20150S  
VF20150S  
VB20150S  
VI20150S  
UNIT  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
VRRM  
150  
20  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
EAS  
160  
150  
0.5  
A
Non-repetitive avalanche energy  
at TJ = 25 °C, L = 60 mH  
mJ  
Peak repetitive reverse current  
at tp = 2 µs, 1 kHz, TJ = 38 °C 2 °C  
IRRM  
dV/dt  
A
V/µs  
V
Voltage rate of change (rated VR)  
10 000  
1500  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Document Number: 89059  
Revision: 24-Jun-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V20150SG VISHAY

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 		Varistor Products - High Energy Industrial

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