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UZTX457 PDF预览

UZTX457

更新时间： 2024-11-21 15:56:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN

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UZTX457 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.37最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：75 MHz
Base Number Matches：1

UZTX457 数据手册

  
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
ISSUE 2 – MARCH 1994  
ZTX457  
FEATURES  
*
*
*
300 Volt VCEO  
0.5 Amp continuous current  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
300  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
300  
V
5
V
Peak Pulse Current  
1
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
500  
1
mA  
W
°C  
Ptot  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO 300  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
V
V
IC=100µA, IE=0  
IC=10mA, IB=0*  
IE=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
VCEO(sus) 300  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)EBO  
ICBO  
5
Collector Cut-Off  
Current  
100  
10  
nA  
µA  
V
CB=200V  
VCB=200V, Tamb=100°C  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
100  
0.3  
nA  
V
VEB=4V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
IC=100mA, IB=10mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
1
1
V
V
IC=100mA, IB=10mA*  
IC=100mA, VCE=10V*  
Base-Emitter  
Turn On Voltage  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
50  
50  
25  
IC=10mA, VCE=10V*  
IC=50mA, VCE=10V*  
IC=100mA, VCE=10V*  
300  
Transition Frequency  
fT  
75  
MHz  
IC=50mA, VCE=10V  
f=20MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
3-181  
1

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