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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.92 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 250 Ω |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 110 V |
| 最大反向电流： | 1 µA | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 电压温度Coeff-Max： | 110 mV/ °C | 最大电压容差： | 10% |
| 工作测试电流： | 5 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UZ212 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 120V V(Z), 10%, 3W, Silicon, Unidirectional, |
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| UZ212E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 120V V(Z), 10%, 3W, Silicon, Unidirectional, |
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| UZ212HR2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 120V V(Z), 10%, 3W, Silicon, Unidirectional |
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| UZ213 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 130V V(Z), 10%, 3W, Silicon, Unidirectional, |
|
| UZ213HR2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 130V V(Z), 10%, 3W, Silicon, Unidirectional |
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| UZ214 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 140V V(Z), 10%, 3W, Silicon, Unidirectional, |
|
| UZ214E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 140V V(Z), 10%, 3W, Silicon, Unidirectional, |
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| UZ214HR2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 140V V(Z), 10%, 3W, Silicon, Unidirectional |
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| UZ215 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 150V V(Z), 10%, 3W, Silicon, Unidirectional, |
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| UZ215HR2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 150V V(Z), 10%, 3W, Silicon, Unidirectional |
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