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UTT3205G-TA3-T

更新时间： 2024-01-11 09:54:18

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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UTT3205G-TA3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
雪崩能效等级（Eas）：	450 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	110 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	390 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UTT3205G-TA3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTT3205

Preliminary

Power MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC UTT3205 uses advanced technology to provide

excellent R_DS(ON), fast switching, low gate charge, and excellent

efficiency. This device is suitable for all commercial-industrial

applications at power dissipation levels to approximately 50 watts.

FEATURES

* R_DS(ON)<20mΩ @V_GS=10V

* Ultra Low Gate Charge ( 146nC max )

* Low Reverse Transfer Capacitance ( C_RSS= typ. 211 pF )

* Fast Switching Capability

* Avalanche Energy Specified

* Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

TO-220

Packing

Tube

Lead Free

Halogen Free

UTT3205G-TA3-T

UTT3205L-TA3-T

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain

S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 5

QW-R502-510.b

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