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UTT30N06L-TN3-R

更新时间： 2024-11-24 07:08:55

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描述
30A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTT30N06L-TN3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.15
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	44 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UTT30N06L-TN3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTT30N06

Power MOSFET

30A, 60V N-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC UTT30N06 is a low voltage power MOSFET and is

designed to have better characteristics, such as fast switching time,

low gate charge, low on-state resistance and excellent avalanche

characteristics. This power MOSFET is usually used in automotive

applications of power supplies, high efficient DC to DC converters

and battery operated products.

FEATURES

* R_DS(ON)= 40mΩ@V_GS= 10 V

* Ultra low gate charge ( typical 20 nC )

* Low reverse transfer Capacitance ( C_RSS= typical 80 pF )

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

* Improved dv/dt capability

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

UTT30N06L-TN3-R

UTT30N06L-TA3-T

UTT30N06G-TN3-R

UTT30N06G-TA3-T

TO-252

TO-220

Tape Reel

Tube

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain

S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 8

QW-R502-637.A

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