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UTM2054G-AB3-R

更新时间: 2024-02-08 04:54:11
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2页 151K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

UTM2054G-AB3-R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.68
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.04 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.47 W最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

UTM2054G-AB3-R 数据手册

 浏览型号UTM2054G-AB3-R的Datasheet PDF文件第2页 
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
UTM2054  
Preliminary  
Power MOSFET  
N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE  
„
DESCRIPTION  
The UTM2054 uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate  
voltages. This device is suitable for use as a load switch or in  
PWM applications.  
„
FEATURES  
* RDS(ON)= 35m@VGS=10V  
* RDS(ON)= 45m@VGS=4.5V  
* RDS(ON)= 110m@VGS=2.5V  
Lead-free:  
Halogen-free: UTM2054G  
UTM2054L  
* Ultra low gate charge ( typical 11.5 nC )  
* Low reverse transfer capacitance ( CRSS = typical 60 pF )  
* Fast switching capability  
* Avalanche energy specified  
* Improved dv/dt capability, high ruggedness  
„
SYMBOL  
2.Drain  
1.Gate  
3.Source  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
SOT-89  
Packing  
Normal  
Lead Free  
Halogen Free  
1
2
3
UTM2054-AB3-R  
UTM2054L-AB3-R  
UTM2054G-AB3-R  
G
D
S
Tape Reel  
www.unisonic.com.tw  
Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd  
1 of 4  
QW-R502-289.a  

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