UTM2513L-TN3-R

更新时间： 2024-02-01 09:19:57

品牌	Logo	应用领域
友顺 - UTC		/
页数	文件大小	规格书
4页	208K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UTM2513L-TN3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.68	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.013 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	90 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UTM2513L-TN3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTM2513

Power MOSFET

N-CHANNEL

ENHANCEMENT MODE

FEATURES

* R_DS(ON)= 10.5mΩ(typ.) @V_GS= 10 V

* R_DS(ON)= 16mΩ(typ.) @V_GS= 4.5 V

* Low capacitance

* Optimized gate charge

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

SYMBOL

2.Drain

Lead-free: UTM2513L

Halogen-free: UTM2513G

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Normal

Lead Free Plating

UTM2513L-TN3-R

UTM2513L-TN3-T

Halogen Free

UTM2513-TN3-R

UTM2513-TN3-T

UTM2513G-TN3-R

UTM2513G-TN3-T

TO-252

Tape Reel

Tube

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R502-228.A

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与UTM2513L-TN3-R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UTM2513L-TN3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTM2513-TN3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTM2513-TN3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTM-3000-J	NUVOTEM TALEMA	获取价格	ATM 25MBPS Pulse Transformer for Novacom & SEEQ PHY Interface
UTM3023	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTM3023_15	UTC	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
UTM3023G-TN3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
UTM3023G-TN3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
UTM3023L-TN3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTM3023L-TN3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE