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UTM2513-TN3-R

更新时间: 2024-11-27 07:08:55
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4页 208K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

UTM2513-TN3-R 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.68
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:25 V
最大漏极电流 (ID):40 A最大漏源导通电阻:0.013 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):90 A
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

UTM2513-TN3-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
UTM2513  
Power MOSFET  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
„
FEATURES  
* RDS(ON) = 10.5m(typ.) @VGS = 10 V  
* RDS(ON) = 16m(typ.) @VGS = 4.5 V  
* Low capacitance  
* Optimized gate charge  
* Fast switching capability  
* Avalanche energy specified  
„
SYMBOL  
2.Drain  
Lead-free: UTM2513L  
Halogen-free: UTM2513G  
1.Gate  
3.Source  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Normal  
Lead Free Plating  
UTM2513L-TN3-R  
UTM2513L-TN3-T  
Halogen Free  
1
G
G
2
D
D
3
S
S
UTM2513-TN3-R  
UTM2513-TN3-T  
UTM2513G-TN3-R  
UTM2513G-TN3-T  
TO-252  
TO-252  
Tape Reel  
Tube  
www.unisonic.com.tw  
Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd  
1 of 4  
QW-R502-228.A  

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