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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.56 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-X2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 175 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 9 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UT6110RHR2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 9A, Silicon, |
|
| UT61128C64 | ETC |
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128K X 64 SYNCHRONOUS PIPELINED BURST CMOS SRAM |
|
| UT61128C64Q-5 | ETC |
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128K X 64 SYNCHRONOUS PIPELINED BURST CMOS SRAM |
|
| UT61128C64T-5 | ETC |
获取价格 |
128K X 64 SYNCHRONOUS PIPELINED BURST CMOS SRAM |
|
| UT6120 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| UT6120HR2 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| UT6120R | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| UT6120RHR2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 9A, Silicon, |
|
| UT6-12-40-F1 | ETC |
获取价格 |
THERMOELECT |
|
| UT61256 | ETC |
获取价格 |
32K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM |
|
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