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UT4413L-S08-R

更新时间: 2024-10-02 07:08:59
品牌 Logo 应用领域
友顺 - UTC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 227K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

UT4413L-S08-R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:SOT包装说明:LEAD FREE, SOP-8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.68Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):15 A最大漏源导通电阻:0.0085 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

UT4413L-S08-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
UT4413  
Power MOSFET  
P-CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
„
DESCRIPTION  
The UT4413 uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate  
voltages. This device is suitable for use as a load switch or in  
PWM applications.  
„
FEATURES  
* RDS(ON) = 8.5m@VGS = -10 V  
* Low capacitance  
* Low gate charge  
* Fast switching capability  
* Avalanche energy specified  
*Pb-free plating product number: UT4413L  
„
SYMBOL  
Drain  
Gate  
Source  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Package  
Packing  
Normal  
Lead Free Plating  
UT4413-S08-R  
UT4413-S08-T  
UT4413L-S08-R  
UT4413L-S08-T  
SOP-8  
SOP-8  
Tape Reel  
Tube  
www.unisonic.com.tw  
1 of 6  
Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd  
QW-R502-198.A  

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