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UT4446G-S08-T

更新时间: 2024-01-06 22:28:31
品牌 Logo 应用领域
友顺 - UTC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 198K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

UT4446G-S08-T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:SOT包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.67Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):15 A最大漏极电流 (ID):15 A
最大漏源导通电阻:0.0085 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.6 W最大脉冲漏极电流 (IDM):40 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

UT4446G-S08-T 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
UT4446  
Power MOSFET  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
„
DESCRIPTION  
The UT4446 uses UTC’s advanced trench technology to  
provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low  
gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or  
in PWM applications.  
SOP-8  
„
FEATURES  
* RDS(ON)< 8.5m@VGS=10V  
* RDS(ON)< 14.5m@VGS=4.5V  
* Low capacitance  
* Low gate charge  
* Fast switching capability  
* Avalanche energy specified  
Lead-free:  
Halogen-free: UT4446G  
UT4446L  
„
SYMBOL  
2.Drain  
1.Gate  
3.Source  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Package  
Packing  
Normal  
Lead Free  
Halogen Free  
UT4446-S08-R  
UT4446-S08-T  
UT4446L-S08-R  
UT4446L-S08-T  
UT4446G-S08-R  
UT4446G-S08-T  
SOP-8  
SOP-8  
Tape Reel  
Tube  
www.unisonic.com.tw  
Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd  
1 of 6  
QW-R502-251.A  

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