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UT4430G-S08-R

更新时间： 2024-01-25 04:28:13

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友顺 - UTC		晶体晶体管
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6页	231K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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UT4430G-S08-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.72
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏源导通电阻：	0.0055 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UT4430G-S08-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT4430

Power MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE FIELD EFFECT

TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UT4430 uses UTC advanced technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with low gate

voltages. This device is suitable for applications, such as high-side

DC/DC conversion, notebook and sever.

FEATURES

* V_DS(V)=30V

* I_D=18A (V_GS= 10V)

* R_DS(ON)<5.5mΩ@V_GS=10V

* R_DS(ON)<7.5mΩ@V_GS=4.5V

* Halogen-Free

SYMBOL

Drain

Gate

Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Package

SOP-8

Packing

Lead Free

Halogen Free

UT4430G-S08-R

UT4430L-S08-R

Tape Reel

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-333.A

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