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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> UT4410G-S08-T
UT4410G-S08-T PDF预览

UT4410G-S08-T

更新时间： 2024-09-30 07:08:59
品牌 Logo 应用领域
友顺 - UTC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 219K
描述
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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UT4410G-S08-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.67Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：11.6 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：46.4 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

UT4410G-S08-T 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
UT4410  
Power MOSFET  
N-CHANNEL 30-V (D-S)  
MOSFET  
„
DESCRIPTION  
As advanced N-channel logic level enhancement MOSFET,  
the UT4410 is produced using UTC’s high cell density, DMOS  
trench technology. which has been specially tailored to minimize  
the on-resistance and maintain low gate charge for superior  
switching performance.  
These devices can be particularly suited for such low voltage  
applications: cellular phone and notebook computer power  
management and other battery powered circuits where high-side  
switching and low in-line power loss are needed in a very small  
outline surface mount package.  
Lead-free:  
UT4410L  
Halogen-free: UT4410G  
„
FEATURES  
* RDS(ON) < 18mΩ @VGS = 4.5V  
* RDS(ON) < 12mΩ @VGS = 10 V  
* Ultra low gate charge ( typical 11 nC )  
* Low reverse transfer capacitance ( CRSS = typical 35 pF )  
* Fast switching capability  
* Avalanche energy specified  
* Improved dv/dt capability, high ruggedness  
„
SYMBOL  
2.Drain  
1.Gate  
3.Source  
„
ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Package  
Packing  
Normal  
Lead Free Plating  
UT4410L-S08-R  
UT4410L-S08-T  
Halogen Free  
UT4410-S08-R  
UT4410-S08-T  
UT4410G-S08-R  
UT4410G-S08-T  
SOP-8  
SOP-8  
Tape Reel  
Tube  
www.unisonic.com.tw  
Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd  
1 of 4  
QW-R502-238.A  
12345

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与UT4410G-S08-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UT4410HR2 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon,
UT4410L-S08-R UTC

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 		N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
UT4410L-S08-T UTC

获取价格

 		N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
UT4410-S08-R UTC

获取价格

 		N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
UT4410-S08-T UTC

获取价格

 		N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
UT4411 UTC

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT4411_15 UTC

获取价格

 		P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
UT4411G-S08-R UTC

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 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.032ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
UT4411G-S08-T UTC

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.032ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
UT4411L-S08-R UTC

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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