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USFZ36V

更新时间： 2024-02-20 01:47:37

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2页	360K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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USFZ36V 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
标称参考电压：	36 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	最大电压容差：	10%
工作测试电流：	10 mA	Base Number Matches：	1

USFZ36V 数据手册

USFZ4.3V~36V

SEMICONDUCTOR

ZENER DIODE

TECHNICAL DATA

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION.

REFERENCE VOLTAGE APPLICATION.

FEATURES

· Nominal Voltage Tolerance About ±10%.

· Small Power Mold Type : USF

CATHODE MARK

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

DIM

MILLIMETERS

CHARACTERISTIC

Power Dissipation

SYMBOL

RATING

500

UNIT

℃

1.9 0.1

2.5 + 0.1

P_D

T_j

0.61 + 0.05

0.8 + 0.1

Junction Temperature

150

0.91 + 0.05

1. ANODE

2. CATHODE

1.2 + 0.1

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

℃

1.3 + 0.1

0.46 + 0.1

0.11+ 0.05

0.6 + 0.1

USF

Marking

Type Name

Lot No.

CATHODE MARK.

Type No.

USFZ4.3V

USFZ4.7V

USFZ5.1V

USFZ5.6V

USFZ6.2V

USFZ6.8V

Marking

Type No.

USFZ7.5V

USFZ8.2V

USFZ9.1V

USFZ10V

USFZ11V

USFZ12V

Marking

Type No.

USFZ13V

USFZ15V

USFZ16V

USFZ18V

USFZ20V

USFZ22V

Marking

Type No.

USFZ24V

USFZ27V

USFZ30V

USFZ33V

USFZ36V

Marking

2010. 11. 23

Rvision No : 0

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
USFZ4.3V	KEC	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE	获取价格
USFZ4.7V	KEC	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE	获取价格
USFZ5.1V	KEC	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE	获取价格
USFZ5.6V	KEC	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE	获取价格
USFZ6.2V	KEC	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE	获取价格
USFZ6.8V	KEC	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE	获取价格