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US1JHE3A/I

更新时间： 2024-02-24 03:37:27

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Surface Mount Ultrafast Rectifier

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US1JHE3A/I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMA, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	5	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	0.075 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

US1JHE3A/I 数据手册

US1A, US1B, US1D, US1G, US1J, US1K, US1M

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

100

1000

T_J= 150 °C

100

T_J= 125 °C

T_J= 150 °C

T_J= 125 °C

T_J= 100 °C

US1J thru US1M

0.1

T_J= 25 °C

US1A thru US1G

0.01

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

1.7

100

Instantaneous Forward Voltage (V)

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics

Fig. 6 - Typical Reverse Leakage Characteristics

100

T_J= 25 °C

T_J= 150 °C

f = 1.0 MHz

US1A thru US1G

V_sig= 50 mV_p-p

T_J= 125 °C

T_J= 100 °C

US1J thru US1M

0.1

US1A thru US1G

T_J= 25 °C

0.01

0.1

100

Reverse Voltage (V)

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics

Fig. 7 - Typical Junction Capacitance

100

T_J= 150 °C

T_J= 125 °C

T_J= 100 °C

0.1

T_J= 25 °C

US1J thru US1M

0.01

0.1

0.2

0.7

1.2

1.7

2.2

2.7

3.2

0.01

0.1

100

Instantaneous Forward Voltage (V)

t - Pulse Duration (s)

Fig. 5 - Typical Instantaneous Forward Characteristics

Fig. 8 - Typical Transient Thermal Impedance

Revision: 30-Oct-13

Document Number: 88768

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

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