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US1JHE3A/I

更新时间： 2024-01-08 03:13:02
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 104K
描述
Surface Mount Ultrafast Rectifier

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US1JHE3A/I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMA, 2 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：5其他特性：FREE WHEELING DIODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

US1JHE3A/I 数据手册

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US1A, US1B, US1D, US1G, US1J, US1K, US1M  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS SYMBOL US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M UNIT  
Maximum instantaneous forward  
voltage  
(1)  
1.0 A  
VF  
1.0  
1.7  
V
TA = 25 °C  
TA = 100 °C  
10  
50  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
IR  
μA  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,  
rr = 0.25 A  
Maximum reverse recovery time  
Typical junction capacitance  
trr  
50  
15  
75  
10  
ns  
I
4.0 V, 1 MHz  
CJ  
pF  
Note  
(1)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M UNIT  
(1)  
RJA  
RJL  
75  
27  
Maximum thermal resistance  
°C/W  
(1)  
Note  
(1)  
PCB mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad area  
ORDERING INFORMATION (Example)  
PREFERRED P/N  
UNIT WEIGHT (g)  
PREFERRED PACKAGE CODE  
BASE QUANTITY  
DELIVERY MODE  
US1J-E3/61T  
0.064  
61T  
5AT  
61T  
5AT  
H
1800  
7500  
1800  
7500  
1800  
7500  
7" diameter plastic tape and reel  
13" diameter plastic tape and reel  
7" diameter plastic tape and reel  
13" diameter plastic tape and reel  
7" diameter plastic tape and reel  
13" diameter plastic tape and reel  
US1J-E3/5AT  
0.064  
US1JHE3/61T (1)  
US1JHE3/5AT (1)  
US1JHE3_A/H (1)  
US1JHE3_A/I (1)  
0.064  
0.064  
0.064  
0.064  
I
Note  
(1)  
AEC-Q101 qualified  
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
30  
25  
20  
15  
10  
5
Resistive or Inductive Load  
TL = 110 °C  
8.3 ms Single Half Sine-Wave  
0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm)  
Copper Pad Areas  
0
1
10  
100  
0
100  
Lead Temperature (°C)  
125  
25  
50  
75  
150  
Number of Cycles at 60 Hz  
Fig. 1 - Forward Current Derating Curve  
Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
Revision: 30-Oct-13  
Document Number: 88768  
2
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

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