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US1B

更新时间： 2024-02-25 13:17:55
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 196K
描述
Ultrafast silicon rectifier diodes

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US1B 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AC
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.1
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.075 µs
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUALBase Number Matches：1

US1B 数据手册

 浏览型号US1B的Datasheet PDF文件第2页 
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Absolute Maximum Ratings  
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Forward Current: 1 A  
Reverse Voltage: 50 to 1200 V  
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Features  
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1
15-02-2008 MAM  
© by SEMIKRON  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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