US1BE

更新时间： 2024-01-05 20:42:14

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美微科 - MCC		/
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4页	205K
描述
1 Amp Ultra Fast Rectifier 50 to 1000 Volts

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US1BE 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.1
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-50 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	最大反向恢复时间：	0.075 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

US1BE 数据手册

M C C

US1AE

THRU

US1ME

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

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Micro Commercial Components

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

Features

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

•

Ultra Fast Switching For High Efficiency

1 Amp Ultra Fast

Rectifier

50 to 1000 Volts

•

For Surface Mounted Applications

Low Forward Voltage Drop And High Current Capability

Low Reverse Leakage Current

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

•

Maximum Ratings

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(NOTE 1) ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

(SMAE)

•

Operating Temperature: -50°C to +150°C

Storage Temperature: -50°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 30°C/W Junction To Lead

Cathode Band

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum

RMS

Voltage

Maximum

Blocking

Voltage

50V

100V

150V

200V

400V

600V

800V

1000V

US1AE

US1BE

US1CE

US1DE

US1GE

US1JE

US1KE

US1ME

US1A

US1B

US1C

US1D

US1G

US1J

US1K

US1M

35V

70V

100V

150V

200V

400V

600V

800V

1000V

105V

140V

280V

420V

560V

700V

DIMENSIONS

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

INCHES

MIN

.079

.050

.002

---

MIN

Average Forward

Current

I_F(AV)

1.0A

T_L= 75°C

DIM

MAX

.096

.075

.008

.02

MAX

2.44

1.90

.20

NOTE

2.01

1.27

.05

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

30A

8.3ms, half sine

---

.51

.030

.189

.157

.090

.060

.208

.180

.115

.76

1.52

5.30

4.57

2.92

4.80

4.00

2.29

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

US1AE-1DE

US1GE

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.090”

V_F

1.0V

1.4V

1.7V

I_FM= 1.0A;

T_J= 25°C

US1JE-1ME

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

I_R

10uA

100uA

T_A= 25°C

T_A= 100°C

0.085”

Maximum Reverse

Recovery Time

0.070”

T_rr

C_J

I_F=0.5A, I_R=1.0A,

I_rr=0.25A

50ns

US1AE-1GE

75ns

US1JE-1ME

Typical Junction

Capacitance

US1AE-1GE

US1JE-1ME

20pF

17pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 4

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
US1B-E3	VISHAY	Surface Mount Ultrafast Rectifier	获取价格
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US1B-E3/61T	VISHAY	DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Si	获取价格
US1B-E3-5AT	VISHAY	Surface Mount Ultrafast Rectifier	获取价格
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