Datasheet > US1B

US1B

更新时间： 2024-02-04 00:14:18

品牌	Logo	应用领域
TSC		/
页数	文件大小	规格书
2页	129K
描述
1.0 Amps. Surface Mount High Efficient Rectifiers

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

US1B 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.1
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-50 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	最大反向恢复时间：	0.075 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

US1B 数据手册

US1A - US1M

1.0 Amps. Surface Mount High Efficient Rectifiers

SMA/DO-214AC

Features

ꢀ

Glass passivated junction chip

For surface mounted application

Low profile package

Built-in strain relief

Ideal for automated placement

Easy pick and place

Ultrafast recovery time for high efficiency

Low forward voltage, low power loss

High temperature soldering guaranteed:

260^oC/10 seconds on terminals

ꢀ

Plastic material used carries Underwriters

Laboratory Classification 94V0

Mechanical Data

Dimensions in inches and (millimeters)

ꢀ

Cases: Molded plastic

ꢀ

Terminals: Solder plated, solderable per

MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Indicated by cathode band

Weight: 0.064 gram

ꢀ

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Type Number

Symbol US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M Units

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100 200 400 600 800 1000

70 140 280 420 560 700

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

100 200 400

800 1000

Maximum Average Forward Rectified Current

@ T_L=110 ^oC

I_(AV)

I_FSM

1.0

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single

Half Sine-wave Superimposed on Rated

Load (JEDEC method )

Maximum Instantaneous Forward Voltage

@ 1.0A

V_F

I_R

1.0

1.7

Maximum DC Reverse Current

@ T_A=25 ^oC at Rated DC Blocking Voltage

@ T_A=125 ^oC

5.0

150

Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )

Trr

Typical Junction Capacitance ( Note 2 )

Maximum Thermal Resistance (Note 3)

θJA

^oC/W

θJL

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

T_J

-55 to +150

-55 to + 150

^oC

TSTG

^oC

1. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A

2. Measured at 1 MHz and Applied VR=4.0 Volts

Notes:

3. P.C.B. Mounted on 0.2 x 0.2” (5.0 x 5.0mm) Copper Pad Area.

Version: B07

- 272 -

中文翻译

下载PDF

与US1B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
US1B-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMA, 2 PIN
US1B-13-F	DIODES	获取价格	1.0A SURFACE MOUNT ULTRA-FAST RECTIFIER
US1B-7	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMA, 2 PIN
US1BAF	LGE	获取价格	高效整流二极管
US1BAF	CZSTARSEA	获取价格	SMAF
US1BAFC	PANJIT	获取价格	SMAF-C
US1BAS	CZSTARSEA	获取价格	SMAS
US1BB	SUNMATE	获取价格	1.0A patch fast recovery diode 100V SMB series
US1BB	PACELEADER	获取价格	SURFACE MOUNT REVERSE VOLTAGE 50 TO 1000 VOLTS
US1BB	SSE	获取价格	SURFACE MOUNT ULTRA FAST SWITCHING RECTIFIER

与US1B相关文章

压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
2024-06-07

1
电感耐压值及其与电感大小的关系
2024-06-07

4
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
2024-06-07

3
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
2024-06-07

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

US1B

US1B 技术参数

US1B 数据手册

与US1B相关器件

与US1B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

US1B

US1B 技术参数

US1B 数据手册

与US1B相关器件

与US1B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？