Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波开关> UPG155TB-E3

UPG155TB-E3

更新时间： 2024-11-17 22:18:51

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	69K
描述
L-BAND SPDT SWITCH

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPG155TB-E3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.29	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	最大输入功率 (CW)：	45.31 dBm
最大插入损耗：	1 dB	JESD-609代码：	e0
最大工作频率：	2500 MHz	最小工作频率：	100 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-45 °C
射频/微波设备类型：	SPDT	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

UPG155TB-E3 数据手册

DATA SHEET

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

µPG155TB

L-BAND SPDT SWITCH

DESCRIPTION

The µPG155TB is an L-band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch which was developed for digital

cellular or cordless telephone application. The device can operate from 100 MHz to 2.5 GHz, having the low

insertion loss. It housed in an original 6-pin super minimold package that is smaller than usual 6-pin minimold easy

to install and contributes to miniaturizing the system.

FEATURES

•

Low Insertion Loss

: L^INS= 0.75 dB TYP. @V^CONT= +3.0 V/0 V, f = 2 GHz

High Linearity Switching: P^{in (1 dB)}= +34 dBm TYP. @V^CONT= +3.0 V/0 V, f = 2 GHz

Small 6-pin super minimold package (Size: 2.0 × 1.25 × 0.9 mm)

APPLICATIONS

•

L, S-band digital cellular or cordless telephone

PCS, WLAN, and WLL applications

ORDERING INFORMATION

Part Number

Marking

G1L

Package

Supplying Form

Embossed tape 8 mm wide.

µPG155TB-E3

6-pin super minimold

Pin 1, 2, 3 face to tape perforation side.

Qty 3 kp/reel.

Remark To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office. (Part number for sample

order: µPG155TB)

Caution The IC must be handled with care to prevent static discharge because its circuit is composed of

GaAs MES FET.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P13654EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published November 1999 N CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

1998, 1999

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与UPG155TB-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPG155TB-E3-A	NEC	获取价格	SPDT, 100MHz Min, 2500MHz Max, 1dB Insertion Loss-Max, SUPER MINIMOLD, 6 PIN
UPG157GV-E1	NEC	获取价格	SPDT, 500MHz Min, 2000MHz Max, 0.85dB Insertion Loss-Max,
UPG158	NEC	获取价格	L, S- BAND SPDT SWITCH
UPG158TB	NEC	获取价格	L, S- BAND SPDT SWITCH
UPG158TB	CEL	获取价格	W L, S-BAND SPDT SWITCH
UPG158TB-A	NEC	获取价格	SPDT, 500MHz Min, 2500MHz Max, 0.65dB Insertion Loss-Max, SUPER MINIMOLD, 6 PIN
UPG158TB-E3	CEL	获取价格	W L, S-BAND SPDT SWITCH
UPG158TB-E3	NEC	获取价格	L, S- BAND SPDT SWITCH
UPG158TB-E3-A	NEC	获取价格	SPDT, 500MHz Min, 2500MHz Max, 0.65dB Insertion Loss-Max, SUPER MINIMOLD, 6 PIN
UPG168TB	CEL	获取价格	L, S-BAND SPDT SWITCH

与UPG155TB-E3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPG155TB-E3

UPG155TB-E3 技术参数

UPG155TB-E3 数据手册

与UPG155TB-E3相关器件

与UPG155TB-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPG155TB-E3

UPG155TB-E3 技术参数

UPG155TB-E3 数据手册

与UPG155TB-E3相关器件

与UPG155TB-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？