5秒后页面跳转
UPD4516421AG5-A80L-9NF PDF预览

UPD4516421AG5-A80L-9NF

更新时间: 2024-01-19 10:17:05
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
88页 1099K
描述
Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, MOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

UPD4516421AG5-A80L-9NF 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.7
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:18.32 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD4516421AG5-A80L-9NF 数据手册

 浏览型号UPD4516421AG5-A80L-9NF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UPD4516421AG5-A80L-9NF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UPD4516421AG5-A80L-9NF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UPD4516421AG5-A80L-9NF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号UPD4516421AG5-A80L-9NF的Datasheet PDF文件第9页浏览型号UPD4516421AG5-A80L-9NF的Datasheet PDF文件第10页 
µPD4516421A, 4516821A, 4516161A for Rev.P  
Block Diagram  
CLK  
Clock  
Generator  
CKE  
Bank B  
Row  
Address  
Address  
Buffer  
&
Refresh  
Counter  
Mode  
Register  
Bank A  
Sense Amplifier  
DQM  
/CS  
Column Decoder &  
Column  
Address  
Buffer  
&
Latch Circuit  
/RAS  
/CAS  
/WE  
Burst  
Counter  
Data Control Circuit  
DQ  
7
Data Sheet E0122N10  

与UPD4516421AG5-A80L-9NF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
UPD4516421G5-A10-7JF ETC x4 SDRAM

获取价格

UPD4516421G5-A12-7JF ETC x4 SDRAM

获取价格

UPD4516421G5-A13-7JF ETC x4 SDRAM

获取价格

UPD4516421G5-A15-7JF ETC x4 SDRAM

获取价格

UPD4516421G5-A60-PC NEC Synchronous DRAM, 4MX4, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

获取价格

UPD4516421G5-A75-PC NEC Synchronous DRAM, 4MX4, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

获取价格