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UPD44645184F5-E37-FQ1-A PDF预览

UPD44645184F5-E37-FQ1-A

更新时间： 2024-01-11 04:12:00
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 379K
描述
QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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UPD44645184F5-E37-FQ1-A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
针数：165Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.79Is Samacsys：N
最长访问时间：0.45 ns最大时钟频率 (fCLK)：270 MHz
I/O 类型：SEPARATEJESD-30 代码：R-PBGA-B165
内存密度：75497472 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：18端子数量：165
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA165,11X15,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL电源：1.5/1.8,1.8 V
认证状态：Not Qualified最小待机电流：1.7 V
子类别：SRAMs表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

UPD44645184F5-E37-FQ1-A 数据手册

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μPD44645084, 44645094, 44645184, 44645364  
165-pin PLASTIC BGA (15 x 17)  
(Top View)  
[μPD44645184]  
4M x 18-bit  
1
CQ#  
NC  
2
3
4
5
BW1#  
NC  
A
6
7
8
9
A
10  
A
11  
CQ  
Q8  
D8  
D7  
Q6  
Q5  
D5  
ZQ  
D4  
Q3  
Q2  
D2  
D1  
Q0  
TDI  
A
B
C
D
E
F
VSS  
Q9  
A
W#  
K#  
K
NC  
BW0#  
A
R#  
D9  
A
A
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
VDDQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
A
NC  
Q7  
NC  
D6  
NC  
NC  
D10  
Q10  
Q11  
D12  
Q13  
VDDQ  
D14  
Q14  
D15  
D16  
Q16  
Q17  
A
VSS  
NC  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
A
VSS  
NC  
D11  
NC  
VSS  
VSS  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
VSS  
A
VSS  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
VSS  
A
VSS  
NC  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VSS  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VSS  
NC  
Q12  
D13  
VREF  
NC  
NC  
NC  
VREF  
Q4  
D3  
G
H
J
NC  
DLL#  
NC  
K
L
NC  
NC  
NC  
Q15  
NC  
NC  
Q1  
NC  
D0  
M
N
P
R
NC  
NC  
D17  
NC  
VSS  
VSS  
NC  
A
A
C
A
A
TDO  
TCK  
A
A
C#  
A
A
TMS  
A
: Address inputs  
: Data inputs  
: Data outputs  
: Read input  
DLL#  
: DLL/PLL disable  
D0 to D17  
Q0 to Q17  
R#  
TMS  
TDI  
: IEEE 1149.1 Test input  
: IEEE 1149.1 Test input  
: IEEE 1149.1 Clock input  
: IEEE 1149.1 Test output  
TCK  
TDO  
VREF  
VDD  
W#  
: Write input  
BW0#, BW1#  
K, K#  
: Byte Write data select  
: Input clock  
: HSTL input reference input  
: Power Supply  
: Power Supply  
: Ground  
C, C#  
: Output clock  
VDDQ  
VSS  
CQ, CQ#  
ZQ  
: Echo clock  
: Output impedance matching  
NC  
: No connection  
Remarks 1. ×××# indicates active LOW signal.  
2. Refer to Package Drawing for the index mark.  
3. 2A is expansion address for 144Mb.  
2A of this product can also be used as NC.  
Preliminary Data Sheet M18232EJ2V0DS  
5
12345678...40

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
UPD44645184F5-E50-FQ1 NEC QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165

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UPD44645184F5-E50-FQ1 RENESAS 4MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165

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