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UPD44645182F5-E50-FQ1

更新时间: 2024-01-26 02:06:51
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 370K
描述
QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165

UPD44645182F5-E50-FQ1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
针数:165Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.79最长访问时间:0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK):200 MHzI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PBGA-B165内存密度:75497472 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:18
端子数量:165字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA165,11X15,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
电源:1.5/1.8,1.8 V认证状态:Not Qualified
最小待机电流:1.7 V子类别:SRAMs
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1

UPD44645182F5-E50-FQ1 数据手册

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μPD44645082, 44645092, 44645182, 44645362  
Pin Configurations  
165-pin PLASTIC BGA (15 x 17)  
(Top View)  
[μPD44645082]  
8M x 8-bit  
1
CQ#  
NC  
2
A
3
A
4
5
NW1#  
NC  
A
6
7
8
9
A
10  
A
11  
CQ  
Q3  
D3  
NC  
Q2  
NC  
NC  
ZQ  
D1  
NC  
Q0  
D0  
NC  
NC  
TDI  
A
B
C
D
E
F
W#  
K#  
K
NC  
NW0#  
A
R#  
NC  
NC  
D4  
NC  
NC  
NC  
Q4  
NC  
Q5  
VDDQ  
NC  
NC  
D6  
NC  
NC  
Q7  
A
A
A
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
VDDQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
A
NC  
NC  
NC  
D2  
NC  
VSS  
A
VSS  
NC  
VSS  
VSS  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
VSS  
A
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
A
VSS  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
VSS  
A
VSS  
NC  
NC  
NC  
D5  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VSS  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VSS  
NC  
NC  
NC  
VREF  
Q1  
G
H
J
NC  
DLL#  
NC  
VREF  
NC  
NC  
Q6  
NC  
D7  
K
L
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
TMS  
NC  
M
N
P
R
NC  
NC  
VSS  
VSS  
NC  
NC  
TCK  
A
A
C
A
A
TDO  
A
A
C#  
A
A
A
: Address inputs  
: Data inputs  
: Data outputs  
: Read input  
DLL#  
: DLL/PLL disable  
D0 to D7  
Q0 to Q7  
R#  
TMS  
TDI  
: IEEE 1149.1 Test input  
: IEEE 1149.1 Test input  
: IEEE 1149.1 Clock input  
: IEEE 1149.1 Test output  
TCK  
TDO  
VREF  
VDD  
W#  
: Write input  
NW0#, NW1#  
K, K#  
: Nibble Write data select  
: Input clock  
: HSTL input reference input  
: Power Supply  
: Power Supply  
: Ground  
C, C#  
: Output clock  
VDDQ  
VSS  
CQ, CQ#  
ZQ  
: Echo clock  
: Output impedance matching  
NC  
: No connection  
Remarks 1. ×××# indicates active LOW signal.  
2. Refer to Package Drawing for the index mark.  
3. 7A is expansion address for 144Mb.  
Preliminary Data Sheet M18231EJ2V0DS  
3

与UPD44645182F5-E50-FQ1相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
UPD44645182F5-E50-FQ1-A NEC QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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UPD44645184F5-E37-FQ1-A NEC QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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UPD44645184F5-E37-FQ1-A RENESAS QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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UPD44645184F5-E50-FQ1 NEC QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165

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