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UPD44645092F5-E50-FQ1

更新时间: 2024-01-15 18:44:35
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
40页 370K
描述
QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165

UPD44645092F5-E50-FQ1 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
针数:165Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.79Is Samacsys:N
最长访问时间:0.45 ns最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PBGA-B165
内存密度:75497472 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:9端子数量:165
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装等效代码:BGA165,11X15,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL电源:1.5/1.8,1.8 V
认证状态:Not Qualified最小待机电流:1.7 V
子类别:SRAMs表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

UPD44645092F5-E50-FQ1 数据手册

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μPD44645082, 44645092, 44645182, 44645362  
[ MEMO ]  
Preliminary Data Sheet M18231EJ2V0DS  
38  

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